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  • 學報動態(tài)“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題 征稿啟事
    2024-05-22 來源:  |  點擊率:
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    導語隨著“雙碳”進程加快和能源轉型深化,能源行業(yè)在未來很長一段時間將向著清潔低碳方向發(fā)展,為了滿足新形勢下經(jīng)濟社會發(fā)展的要求,風能、太陽能等新能源發(fā)電會成為電量主體。這些清潔能源的并網(wǎng)、傳輸和利用等相關環(huán)節(jié)對于未來充分高效利用清潔能源至關重要,而電力電子裝備是未來實現(xiàn)清潔能源并網(wǎng)及高效傳輸及利用的關鍵。對于電力電子裝備來說,功率半導體芯片經(jīng)過封裝集成形成的電力電子器件是其核心,因此,研究開發(fā)高性能的電力電子器件將成為推動能源轉型的基礎和關鍵。近年來,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體迅速發(fā)展,基于寬禁帶功率半導體芯片的功率半導體器件較傳統(tǒng)硅功率半導體器件有望具備高頻、高壓、高效及耐高溫的優(yōu)勢,但現(xiàn)有的封裝集成技術仍然沿用傳統(tǒng)硅電力電子器件的封裝技術,這些傳統(tǒng)封裝技術引入的寄生電感較大,且散熱能力不足,導致寬禁帶功率半導體器件無法真正發(fā)揮其優(yōu)勢,已經(jīng)成為制約整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術瓶頸。同時,寬禁帶功率半導體器件開關速度較高的特性使得部分寄生參數(shù)無法忽略,其理論模型相較傳統(tǒng)硅器件需要進行革新,此外,其失效機理以及可靠性優(yōu)化理論也有待進一步完善。因此,結合寬禁帶功率半導體器件從理論走向大規(guī)模應用過程中所面臨的技術難題,掌握其客觀演變規(guī)律,研究在不同應用場景下建模與可靠性優(yōu)化的新理論、新方法與新技術,以提升寬禁帶功率半導體器件性能與可靠性,已成為國內(nèi)外專家、學者和工程人員共同關注的焦點。 面向“雙碳目標”國家戰(zhàn)略的持續(xù)需求,在新能源發(fā)電、電氣化交通等新興應用領域,對變流器的效率、功率密度、可靠性提出了越來越高的要求。以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體功率器件,具有高頻、高效、高壓及耐高溫等優(yōu)異性能,可以有效降低變流器的功率損耗和體積重量。然而,相對于傳統(tǒng)硅功率器件,寬禁帶半導體功率器件具有更高的開關速度、熱流密度、楊氏模量,導致其長期面臨寄生效應重、結殼熱阻大、預期壽命短、可靠性差等關鍵技術難題,在高功率密度封裝集成與可靠性方面面臨嚴峻挑戰(zhàn)。因此,寬禁帶半導體功率器件突破了傳統(tǒng)硅器件的技術邊界,如何構建與之匹配的封裝集成與可靠運行方法,已成為國內(nèi)外專家、學者和工程師共同關注的焦點。

           為了促進寬禁帶半導體功率器件規(guī)模化、標準化工程應用的發(fā)展,進一步繁榮學術交流、推進技術進步、共享科研成果,《電工技術學報》編輯部特邀西安交通大學王來利教授、海軍工程大學肖飛教授、重慶大學冉立教授、中國科學院電工研究所寧圃奇研究員、天津工業(yè)大學梅云輝教授、華中科技大學王智強教授、合肥工業(yè)大學李賀龍教授、重慶大學曾正教授、華北電力大學趙志斌教授和浙江大學羅皓澤教授作為客座主編,主持“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題,特向國內(nèi)外此領域的專家、學者征稿。

    一、專題征稿范圍(包括但不限于)

        1)寬禁帶半導體功率器件的多物理場建模與測試表征

        2)寬禁帶半導體功率器件的先進互連與封裝結構

        3)寬禁帶半導體功率器件的高壓/高溫/大容量封裝集成方法

        4)寬禁帶半導體功率器件的壽命模型與剩余壽命預測 

        5)寬禁帶半導體功率器件的特征參量表征與檢測 

        6)寬禁帶半導體功率器件的可靠性設計與健康管理

        7)人工智能在寬禁帶功率半導體器件設計與優(yōu)化中的應用

        8)寬禁帶半導體功率器件封裝關鍵材料及其制備

        9)基于寬禁帶功率半導體器件的電力電子模塊集成方法

        10)寬禁帶功率半導體器件的驅動、保護與控制方法

        11)寬禁帶功率半導體器件電磁噪聲產(chǎn)生機理與抑制方法

        12)寬禁帶功率半導體器件在電能變換中的應用

    二、征稿要求

        1. 高質量的綜述,要求詳細介紹國內(nèi)外研究背景,對其他研究者的現(xiàn)有工作及自己的研究思路有較全面的陳述和較深入的討論;

        2. 研究論文,要求設計和方法敘述清晰(包括理論計算、數(shù)值模擬、實驗仿真等);

        3. 重點突出,論述嚴謹,文字簡練,避免長篇公式推導;

        4. 來稿請用word排版,格式參考《電工技術學報》網(wǎng)站投稿指南http://www.designweb.com.cn/html1/folder/1712/983-1.htm模板。

    三、重要日期

          投稿截止日期:2024年11月30日

          預計刊出時間:2025年3/4月

    四、投稿方式

           請登錄《電工技術學報》官網(wǎng)http://www.designweb.com.cn投稿,稿件類型或者投稿欄目選擇“寬禁帶半導體功率器件封裝集成與可靠性”專題。真誠歡迎國內(nèi)外相關領域的專家學者以及國家級科研計劃承擔單位踴躍投稿!

    五、客座主編

    王來利  教授         西安交通大學         E-mail:llwang@mail.xjtu.edu.cn

    肖  飛  教授         海軍工程大學          E-mail:xfeyninger@qq.com

    冉  立  教授         重慶大學                 E-mail:li.ran@cqu.edu.cn

    寧圃奇  研究員     中國科學院電工研究所         E-mail:npq@mail.iee.ac.cn

    梅云輝  教授         天津工業(yè)大學         E-mail:meiyunhui@163.com

    王智強  教授         華中科技大學         E-mail:zhiqiangwang@hust.edu.cn

    李賀龍  教授         合肥工業(yè)大學         E-mail:helong.li@hfut.edu.cn

    曾  正  教授         重慶大學                 E-mail:zengerzheng@cqu.edu.cn

    趙志斌  教授         華北電力大學         E-mail:zhibinzhao@ncepu.edu.cn

    羅皓澤  教授         浙江大學                E-mail:haozeluo@zju.edu.cn

     

    編輯部聯(lián)系人:  陳  誠   010-63256981  dgjsxb_cc@126.com     郭麗軍  010-63256949  glijun@126.com

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